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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:2SJ650
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.6
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):1020 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):145 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):85 typ.
下降时间Tf(ns):96 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SJ650 TO-220F -60V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管
圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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