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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM3J130TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4.4A,0.0258Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
应用:
* Power Management Switch Applications/电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻：RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
：RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
：RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
：RDS(ON) = 25.8 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
产品型号:SSM3J130TU
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-4.4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0258 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.0
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：17.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):133 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J130TU,-20V,-4.4A,P-沟道增强型场效应晶体管
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