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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM3J307T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5A,0.031Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 83 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
:Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:Ron = 40 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:Ron = 31 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
产品型号:SSM3J307T
封装:SOT-23
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.031 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.7
输入电容Ciss(PF):1170 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：9.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):160 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J307T，-20V,-5A P-沟道增强型场效应晶体管
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