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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护
SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护
SSM6J25FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-0.5A,0.26Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6J25FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 适用于高密度安装在小包装
* 低导通电阻：Ron = 260mΩ (max) (@VGS = -4 V)
：Ron = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-1.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):218 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：1.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J25FE,-20V,-1.5A P-沟道增强型场效应晶体管
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