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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6J23FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,P场,-12V,-1.2A,0.16Ω,带ESD二极静电保护
产品型号:SSM6J23FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ)
应用:
* High Current Switching Applications/高速开关应用
* DC-DC Converter/DC-DC转换器
特点：
* 适用于高密度安装在小包装
* 低导通电阻：Ron = 160 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
：Ron = 210 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-1.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):420 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：3.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J23FE,-12V,-1.2A P-沟道增强型场效应晶体管
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