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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6J505NU,TOSHIBA,UDFN6B,SMD/MOS,P场,-12V,-12A,0.012Ω,带二极静电保护
产品型号:SSM6J505NU
MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)
应用:
* 电源管理开关
特点
（1）1.2 V的栅极驱动电压。
（2）低漏源导通电阻:RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)
:RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
:RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:UDFN6B
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:P沟道
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12V
夹断电压VGS(V):±6
漏极电流Id(A):-12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):1.25
输入电容Ciss(PF):2700 typ.
低频跨导gFS(s)：24
导通延迟时间Td(on)(ns):46 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):420 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J505NU,-12V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管
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