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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6K204FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM6K204FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,2A,0.126Ω，带二极静电保护
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
应用:
* 高速开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 307 mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
：Ron = 214 mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
：Ron = 164 mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
：Ron = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.126 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):195 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):9 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K204FE,20V,2A,0.126Ω N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)