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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6K24FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,30V,0.5A,0.145Ω
产品型号:SSM6K24FE
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7.8 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K24FE,30V,0.5A,0.145Ω N-沟道增强型场效应晶体管
SSM6K211FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,N场,20V,3.2A,0.047Ω，带二极静电保护
产品型号:SSM6K211FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 118 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V)
：Ron = 82 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
：Ron = 59 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
：Ron = 47 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):3.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.047 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):510 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：11
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6K211FE,20V,3.2A,0.047Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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