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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM4K27CT,TOSHIBA,CST4,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.205Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ)
应用:
* 高电流开关应用
* 电源管理开关应用
特点：
* 低导通电阻：Ron = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
：Ron = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
：Ron = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
产品型号:SSM4K27CT
封装:CST4
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.205 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.4
输入电容Ciss(PF):174 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):16.4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM4K27CT,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
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