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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6L11TU,TOSHIBA,SOT-323-6,SMD/MOS,N+P,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type
产品型号:SSM6L11TU
应用:
* 高速开关应用
特点：
* 适用于高密度安装在小包装
* 低导通电阻：Q1: RDS(ON) = 395mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
Q2: RDS(ON) = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
封装:SOT-323-6
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:N+P沟道
N-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20V
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.145 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):268 typ.
低频跨导gFS(s)：2.4
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
P-MOSFET 技术参数：
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20V
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):-0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):218 typ.
低频跨导gFS(s)：1.3
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6L11TU,20V/-20V,0.5A/-0.5A,0.145Ω N+P-沟道增强型场效应晶体管
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