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深圳市金城微零件有限公司
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相关产品
产品信息
SSM6N29TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,20V,0.8A,0.143Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
应用:
* High Speed Switching Applications/高速开关应用
特点:
* 1.8 V驱动器
* 双N沟道
* 低导通电阻:Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
: Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
产品型号:SSM6N29TU
封装:SOT-323-6
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.143 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):268 typ.
通道极性:双N沟道
低频跨导gFS(s):3.75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N29TU,20V,0.8A 双N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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