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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。
SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω
SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
产品型号:SSM6N15FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 模拟开关应用
特点：
* 小封装
* 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
: Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:双N沟道
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7.8 typ.
低频跨导gFS(ms)：25
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N15FE,30V,0.1A,4Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管
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