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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
SSM6P36FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,双P,-20V,-0.33A,1.31Ω,带ESD二极静电保护
产品型号:SSM6P36FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
应用:
* Power Management Switches/电源管理开关
特点：
* 1.5-V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
：Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
：Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
：Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-0.33
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):43 typ.
通道极性:双P
低频跨导gFS(ms)：190
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6P36FE,-20V,-0.33A 双P-沟道增强型场效应晶体管
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