深圳市金城微零件有限公司

RCX450N20,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,45A,0.055Ω
10V Drive Nch MOSFET

产品型号:RCX450N20
特点:
1)低导通电阻。
2）高速开关。
3）保证到±30V的栅源电压VGSS
4）高功率封装（TO-220FM）

封装:to-220f

品牌：ROHM

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):45

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):.055 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):40

描述:RCX450N20,200V,45A,0.055Ω N-沟道增强型场效应晶体管

MOS管参数解释

MOS管介绍
Mosfet参数含义说明
Features:
Vds：    DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：     DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs:     GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm:     脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd:      耗散功率
Tj:      工作结温，通常为150度和175度
Tstg:    存储温度
Iar:     雪崩电流
Ear:     重复雪崩击穿能量
Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss：  DS击穿电压
Idss:    饱和DS电流，uA级的电流
Igss:    GS驱动电流，nA级的电流.
gfs:     跨导
Qg:      G总充电电量
Qgs:     GS充电电量
Qgd:     GD充电电量
Td(on):  导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr:      上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf:      下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss:    输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:    输出电容，Coss=Cds +Cgd.
Crss:    反向传输电容，Crss=Cgc.

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