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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:FQP6N80 800V N-Channel MOSFET
封装:TO-220
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.95 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):158
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):680
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FQP6N80,TO-220,DIP/MOS,N场,800V,5.8A,1.95Ω N-沟道增强型场效应晶体管
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
特点：
* 5.8A, 800V, RDS(on) = 1.95Ω @VGS = 10 V
* Low gate charge ( typical 31 nC)
* Low Crss ( typical 14 pF)
* Fast switching
* 100% avalanche tested
* Improved dv/dt capability
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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