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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:2SK3467-ZK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
N-沟道功率MOSFET
应用:
开关
工业用途
特点:
* 4.5 V可驱动
* 低通态电阻 RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
* 低栅极电荷 QG = 55 nC TYP. (ID = 80 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V)
* 内置栅极保护二极管
* 表面贴装器件
封装:SOT-263
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):76
输入电容Ciss(PF):2800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：20
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):23 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.
下降时间Tf(ns):31 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3467-ZK,20V,80A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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