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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AP02N60J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
封装:TO-251
品牌：AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):1.6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):39
输入电容Ciss(PF):155 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):64
导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.
上升时间Tr(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):21 typ.
下降时间Tf(ns):9 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP02N60J,600V,1.6A,8Ω N-沟道增强型场效应晶体管
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version (AP02N60J) is available for low-profile applications.
特点：
* Low Gate Charge 低栅极电荷
* 100% Avalanche Test 100％雪崩测试
* Simple Drive Requirement 简单的驱动器要求
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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