深圳市金城微零件有限公司

产品型号:BSO052N03S
OptiMOS Power-Transistor

特点
 * 快速开关MOSFET的开关电源
 * 笔记本DC/ DC转换器的优化技术
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用
 * N沟道
 * 逻辑电平
 * 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM）
 * 非常低的导通电阻R DS（ON）
 * 卓越的热电阻
 * 额定雪崩
 * 无铅电镀，符合RoHS标准

封装:SOP-8

品牌：INFINEON

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):14

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):1.56

输入电容Ciss(PF):4160 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：63

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):380

导通延迟时间Td(on)(ns):9.7 typ.

上升时间Tr(ns):7.4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.

下降时间Tf(ns):6.2 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:BSO052N03S,30V,14A N-沟道增强型场效应晶体管

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