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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
Absolute Maximum Ratings
| Characteristics | Symbol | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| Drain current | ID | 18 | A |
| Drain power dissipation | PD | 1.9 | W |
| Drain-Source voltage | VDSS | 30 | V |
Electrical Characteristics
| Characteristics | Symbol | Condition | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| Total gate charge (Typ.) | Qg | - | 45 | nC |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 0.008 | Ω |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 0.0043 | Ω |
产品型号:TPC8028,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0043Ω
封装:SOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):1.9
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):84
导通延迟时间Td(on)(ns):26 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ.
下降时间Tf(ns):19 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPC8028,30V,18A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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