深圳市金城微零件有限公司

产品型号:TPC8218-H,SOP-8,SMD/MOS,双N,60/60V,3.8/3.8A,0.057Ω

应用:
 * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
 * Portable Equipment Applications/便携式设备的应用
特点:
 * 超薄小体积封装
 * 高速开关
 * 小栅极电荷: QSW = 2.6 nC (typ.)
 * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 38 mΩ (typ.)
 * 高正向转移导纳: |Yfs| = 12 S (typ.)
 * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
 * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

封装:SOP-8

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):3.8

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.057 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):1.5/0.75

输入电容Ciss(PF):640 typ.

通道极性:双N沟道

低频跨导gFS(s)：12

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):10

导通延迟时间Td(on)(ns):6.7 typ.

上升时间Tr(ns):1.8 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):18 typ.

下降时间Tf(ns):1.8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPC8218-H,60/60V,3.8/3.8A,0.057Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司                                  
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)