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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TPCC8076,QFN-8 3.3*3.3,SMD/MOS,N场,33V,27A,0.0046Ω
应用:
* Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
* Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
* Mobile Handsets/移动手机
特点:
* 超薄小体积封装
* 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
* 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 33 V)
* 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
* 带二极ESD保护
封装:QFN-8 3.3*3.3
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0046 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):39
输入电容Ciss(PF):2500 typ.
通道极性:N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):82
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):2.9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.
下降时间Tf(ns):9.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCC8076,33V,27A,0.0046Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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