深圳市金城微零件有限公司

产品型号:MDP12N50
MDP12N50采用先进的MagnaChip公司的MOSFET技术，它提供了低通态电阻，高开关的性能和优良的品

质。
MDP12N50是合适的设备，开关电源，高速开关和通用应用.

Applications/应用:

Power Supply/电源供应器

PFC

High Current, High Speed Switching/大电流，高速开关

封装:TO-220

品牌：MagnaChip/美格纳

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):11.5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.65 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):165

输入电容Ciss(PF):1030 typ.

通道极性:N沟道

温度(℃): -55 ~150

描述:MDP12N50,500V,11.5A,0.65Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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新的500V～650V超结（Super Junction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。其中650V 20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
    本项目开发的超结MOSFET具有导通损耗低，栅极电荷低,开关速度快，器件发热小，能效高的优点。产品可广泛用于个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明（高压气体放电灯）产品以及电视机（液晶或等离子电视机）和游戏机等高端消费电子产品的电源或适配器。