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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
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产品型号:AP9972GI
FEATURES:
* 栅极电荷
* 单身驱动要求
* 低导通电阻
封装:TO-220F
品牌：AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):35
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):31.3
输入电容Ciss(PF):3160 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.
上升时间Tr(ns):37 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):47 typ.
下降时间Tf(ns):59 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP9972GI,60V ,35A N-沟道增强型场效应晶体管
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