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深圳市金城微零件有限公司
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场效应管 IRFW740ATM,IRFW740,IRFW740A,IRFW740B
品牌/商标:Samsung/三星 型号/规格:IRFW740ATM,SOT-263,SAM/三星,SMD/MOS,400V.10A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2-4 极间电容:1530 漏极电流:10A
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场效应管 P1703BDG P75N02LDG P75N02LD
品牌/商标:NIKO 型号/规格:P75N02LDG,252,NIKO,MOS,N场,25V,75A,0.007Ω P1703BDG,N,25V,46A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5 , 3(V) 夹断电压:20(V) 漏极电流:46A , 75A(mA) 耗散功率:55W , 60W(mW)
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场效应管 CEU630N,CEUF640,CEU630
品牌/商标:CET/华瑞 型号/规格:CEU630N,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道
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场效应管 IRLI530,IRLI530N,IRFI530
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLI530G,TO-220F,100V,9.7A,0.016Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:20(V) 跨导:6.1S(μS) 极间电容:930(pF) 漏极电流:9.7A(mA) 耗散功率:42W(mW)
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IGBT GT30F122,30F121,30F122
品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:GT30F121,TO-220F,07NPB,TOSHIBA,IGBT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 耗散功率:25W , 35W 漏极电流:120A
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场效应管 Fk10KM-9, Fk14KM-9
品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:FS10KM-9, 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4(V) 夹断电压:±30(V) 低频跨导:5.5S , 7S(μS) 极间电容:1100 , 1500(pF) 漏极电流:10A , 14A(mA) 耗散功率:35W , 40W(mW)
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场效应管 AM50N03-12D AM50N03 50N03-12
品牌/商标:艾柏电子 型号/规格:AM50N03-12D-T1-PF,MOS,30V,51A,0.013Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3(V) 夹断电压:±20(V) 跨导:22S(μS) 漏极电流:51A(mA) 耗散功率:50W(mW)
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场效应管 STP11NB40 P11NB40
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP11NB40,MOS,400V,10.7A,0.55Ω,220 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5(V) 夹断电压:30(V) 极间电容:1625(pF) 漏极电流:10.7A(mA) 耗散功率:125W(mW)
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场效应管 FDMC7572S,FDMC7660
封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:FDMC7572S,QFN-8 3.3*3.3/Power 33,SMD/MOS,N场,25V,40A,0.0032Ω 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型 内阻:,0.0032Ω 电压:25V 电流:40A
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场效应管 IPP16CN10 IPP26CN10
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP16CN10LG,MOS,100V,54A,0.0157Ω,220 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:20 开启电压:2.4 , 4 漏极电流:54A , 32A
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场效应管 2SK3483-Z,2SK3483,K3483
品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK3483 NEC 09+ TO-251 N场 28A 100V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5(V) 夹断电压:±20(V) 跨导:-(μS) 极间电容:2300(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏极电流:28A(mA) 耗散功率:40W(mW)
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200V 场效应管 IRL640 NS,L640
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRL640NS,SOT-263,IR,SMD/MOS,200V.18A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:±10(V) 低频跨导:16S(μS) 极间电容:1800(pF) 漏极电流:17A(mA) 耗散功率:125W(mW)
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MOS IRLBD59N04E,LBD59N04E
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLBD59N04E,SOT-263-5,IR,SMD/MOS,40V,59A,N场,0.018Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:± 10(V) 低频跨导:29S(μS) 极间电容:2310(pF) 漏极电流:59A(mA) 耗散功率:130W(mW)
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场效应管 IPP03N03LA G,03N03LA
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP03N03LA infineon 07NPB TO-220 N场 80A 25V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 低频跨导:112S 极间电容:7027 漏极电流:80A
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场效应管 AP92T12GP-HF 92T12GP AP92T12GP
品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP92T12GP-HF,TO-220,DIP/MOS,120V,130A,0.0085Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道
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场效应管 2SK2690 2SK2690-01 K2690
品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:2SK2690-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,60V,80A,0.01Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:±20(V) 极间电容:5250(pF) 漏极电流:80A(mA) 耗散功率:125W(mW)
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场效应管 HUF76013P3,HUFA76121P3
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:HUF76013P3,HUFA76121P3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1-3(V) 夹断电压:16(V) 极间电容:624(pF) 漏极电流:20A(mA) 耗散功率:50W(mW)
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场效应管 IPDH6N03LA G H6N03LA
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPDH6N03LA G,SOT252,Infineon,SMD/MOS,N场,25V,50A,0.006Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:±20(V) 极间电容:2390(pF) 漏极电流:50A(mA) 耗散功率:71W(mW)
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场效应管 IPP147N03 L,147N03L
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP147N03L G infineon 09NPB TO-220 N场 20A 30V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:MES金属半导体 开启电压:2.2(V) 夹断电压:20(V) 低频跨导:34S(μS) 极间电容:1000(pF) 漏极电流:20A(mA) 耗散功率:31W(mW)
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场效应管 IRF730S TRL,IRF730
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF730STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,400V,5.5A,N场,1Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4(V) 夹断电压:20(V) 极间电容:700(pF) 漏极电流:5.5A(mA) 耗散功率:74W(mW)
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供应IGBT GT30J127,30J127
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:GT30J127,TO-220F,DIP/IGBT,不带二极管,600v,, 材料:IGBT绝缘栅比极 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
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场效应管 BSC011N03LSG,011N03LS
品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC011N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0011Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道
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MOS AO4800,AO4818,IRF7904
品牌/商标:AO 型号/规格:AO4800,SOP-8,AO,SMD/MOS,30V.6.9A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1.4 , 3 , 2.25(V) 夹断电压:±12 , 20(V) 极间电容:858 , 1040 , 910(pF) 漏极电流:6.9A , 8.5A , 7.6A(mA) 耗散功率:2W(mW)
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快恢复 HFA04TB60S,HFA04TB60
是否提供加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:HFA04TB60S,SOT-263,IR,SMD/快恢复,600V,4A,, 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 材料:硅(Si) 主要参数:- 用途:- 备注:现货
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快恢复 LTTH806 LF LTTH1506DF
加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:LITEON/光宝 型号/规格:LTTH806LF,TO-220F-2,,快恢复,600V,8A LTTH1506DF,TO-220F-2,08NPB,光宝,600V,15A 材料:硅(Si) 主要参数:600V,15A 用途:快恢复 备注:现货
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供应肖特基二极管 MBR20100CT
工作温度范围:- 65 to 150(℃) 材料:硅(Si) 是否进口:是 针脚数:3 备注:共阴 电压,Vz:100 型号/规格:MBR20100CT-1,IR,TO-262,DIP/肖特基,100V,20A,共阴 产品类型:肖特基管 品牌/商标:IR/国际整流器 用途:肖特基 主要参数:100V 20A 封装:to-262
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供应 场效应管 AOL1440,AOL1428,1428,1440
型号/规格:AOL1440,QFN-8 5*6/UltraSO-8,SMD/MOS,N场,25V,85A,0.0052Ω 品牌/商标:AO 封装形式:UltraSO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装
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供应 场效应管 AOD438 , AOD436 ,D438,D436
型号/规格:AOD436,MOS,252,30V,60A AOD438,MOS,252,30V,85A 品牌/商标:AO 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘
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供应 场效应管 AON6788
型号/规格:AON6788,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,80A,0.004Ω 品牌/商标:AO 封装形式:QFN-8 5*6/DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:3000/盘
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KIA精密稳压 KIA431A KIA431 AZ431
是否提供加工定制:否 产品类型:稳压管 是否进口:是 品牌/商标:其他 型号/规格:KIA431A 0.5% 主要参数:可调2.5V-36V 用途:稳压 备注:原装,现货
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快恢复 BYQ30E-200,BYQ28E-200
是否提供加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:PHILIPS/飞利浦 型号/规格:BYQ30E-200,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,200V 材料:硅(Si) 主要参数:200V 用途:快恢复 备注:现货
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肖特基 FYPF1010DNTU,Y1010DN,FYPF1010
加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FYPF1010DNTU,TO-220F,FAIRCHILD,DIP/肖特基,100V.10A 材料:硅(Si) 主要参数:100V 10A 用途:肖特基 备注:-
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三极管 2SC3148,C3148,2SC2482
是否提供加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC3148,TO-220,TOSHIBA,DIP/三极管,800V.3A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:800(V) 集电极允许电流ICM:3(A) 集电极耗散功率PCM:40(W) 截止频率fT:-(MHz) 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
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达林顿 2SB1616,2SA1757,KSB1366
加工定制:否 品牌/商标:ROHM/罗姆 型号/规格:2SB1616,-80V,-4A 2SA1757,KSB1366 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCEO:-80(V) 集电极允许电流ICM:-4(A) 集电极耗散功率PCM:30(W) 截止频率fT:20(MHz) 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
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三极管 KSC5305D,KSD5018,KSC5305
加工定制:否 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KSC5305D,TO-220,FAIRCHILD,DIP/三极管,400V.5A 应用范围:功率 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5(A) 集电极耗散功率PCM:75(W) 截止频率fT:6.7(MHz) 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
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供应ST三极管 MD2310FX,,MD2310,C5857
集电极耗散功率PCM:62 集电极允许电流ICM:14 封装形式:TO-3P-3 整包 截止频率fT:- 型号/规格:MD2310FX,TO-3PF,DIP/三极管,NPN,700V,14A 材料:硅(Si) 品牌/商标:ST/意法 应用范围:放大
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三极管 KTC2016-Y C2016 KTC2016
加工定制:否 品牌/商标:KEC 型号/规格:KTC2016-Y,TO-220,KEC,DIP/三极管,NPN,60V,3A, 应用范围:放大 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:3(A) 集电极耗散功率PCM:30(W) 截止频率fT:30(MHz) 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装
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肖特基二极管 Y3004DN,Y3004,3004
是否提供加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:Y3004DN,TO-3PF,FAIRCHILD,DIP/肖特基,40V.30A 材料:硅(Si) 主要参数:40V.30A 用途:肖特基 备注:现货