深圳市金城微零件有限公司

场效应管 IRFW740ATM,IRFW740,IRFW740A,IRFW740B

品牌/商标:Samsung/三星 型号/规格:IRFW740ATM,SOT-263,SAM/三星,SMD/MOS,400V.10A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2-4 极间电容:1530 漏极电流:10A

场效应管 P1703BDG P75N02LDG P75N02LD

品牌/商标:NIKO 型号/规格:P75N02LDG，252，NIKO，MOS，N场，25V，75A，0.007Ω P1703BDG，N，25V，46A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5 , 3（V） 夹断电压:20（V） 漏极电流:46A , 75A（mA） 耗散功率:55W , 60W（mW）

场效应管 CEU630N,CEUF640,CEU630

品牌/商标:CET/华瑞 型号/规格:CEU630N,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 IRLI530,IRLI530N,IRFI530

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLI530G,TO-220F,100V,9.7A,0.016Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:20（V） 跨导:6.1S（μS） 极间电容:930（pF） 漏极电流:9.7A（mA） 耗散功率:42W（mW）

IGBT GT30F122,30F121,30F122

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:GT30F121,TO-220F,07NPB,TOSHIBA,IGBT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 耗散功率:25W , 35W 漏极电流:120A

场效应管 Fk10KM-9, Fk14KM-9

品牌/商标:Mitsubishi/三菱 型号/规格:FS10KM-9, 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:±30（V） 低频跨导:5.5S , 7S（μS） 极间电容:1100 , 1500（pF） 漏极电流:10A , 14A（mA） 耗散功率:35W , 40W（mW）

场效应管 AM50N03-12D AM50N03 50N03-12

品牌/商标:艾柏电子 型号/规格:AM50N03-12D-T1-PF,MOS,30V,51A,0.013Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 夹断电压:±20（V） 跨导:22S（μS） 漏极电流:51A（mA） 耗散功率:50W（mW）

场效应管 STP11NB40 P11NB40

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP11NB40,MOS,400V,10.7A,0.55Ω,220 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 极间电容:1625（pF） 漏极电流:10.7A（mA） 耗散功率:125W（mW）

场效应管 FDMC7572S,FDMC7660

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:FDMC7572S,QFN-8 3.3*3.3/Power 33,SMD/MOS,N场,25V,40A,0.0032Ω 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型 内阻:,0.0032Ω 电压:25V 电流:40A

场效应管 IPP16CN10 IPP26CN10

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP16CN10LG,MOS,100V,54A,0.0157Ω,220 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:20 开启电压:2.4 , 4 漏极电流:54A , 32A

场效应管 2SK3483-Z,2SK3483,K3483

品牌/商标:NEC/日本电气 型号/规格:2SK3483 NEC 09+ TO-251 N场 28A 100V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5（V） 夹断电压:±20（V） 跨导:-（μS） 极间电容:2300（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:28A（mA） 耗散功率:40W（mW）

200V 场效应管 IRL640 NS,L640

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRL640NS,SOT-263,IR,SMD/MOS,200V.18A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:±10（V） 低频跨导:16S（μS） 极间电容:1800（pF） 漏极电流:17A（mA） 耗散功率:125W（mW）

MOS IRLBD59N04E,LBD59N04E

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLBD59N04E,SOT-263-5,IR,SMD/MOS,40V,59A,N场,0.018Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:± 10（V） 低频跨导:29S（μS） 极间电容:2310（pF） 漏极电流:59A（mA） 耗散功率:130W（mW）

场效应管 IPP03N03LA G,03N03LA

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP03N03LA infineon 07NPB TO-220 N场 80A 25V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 低频跨导:112S 极间电容:7027 漏极电流:80A

场效应管 AP92T12GP-HF 92T12GP AP92T12GP

品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP92T12GP-HF,TO-220,DIP/MOS,120V,130A,0.0085Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 2SK2690 2SK2690-01 K2690

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:2SK2690-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，60V，80A，0.01Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:±20（V） 极间电容:5250（pF） 漏极电流:80A（mA） 耗散功率:125W（mW）

场效应管 HUF76013P3,HUFA76121P3

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:HUF76013P3,HUFA76121P3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1-3（V） 夹断电压:16（V） 极间电容:624（pF） 漏极电流:20A（mA） 耗散功率:50W（mW）

场效应管 IPDH6N03LA G H6N03LA

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPDH6N03LA G,SOT252,Infineon,SMD/MOS,N场,25V,50A,0.006Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:±20（V） 极间电容:2390（pF） 漏极电流:50A（mA） 耗散功率:71W（mW）

场效应管 IPP147N03 L,147N03L

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPP147N03L G infineon 09NPB TO-220 N场 20A 30V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:MES金属半导体 开启电压:2.2（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:34S（μS） 极间电容:1000（pF） 漏极电流:20A（mA） 耗散功率:31W（mW）

场效应管 IRF730S TRL,IRF730

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF730STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,400V,5.5A,N场,1Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:20（V） 极间电容:700（pF） 漏极电流:5.5A（mA） 耗散功率:74W（mW）

供应IGBT GT30J127,30J127

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:GT30J127,TO-220F,DIP/IGBT,不带二极管,600v,, 材料:IGBT绝缘栅比极 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

场效应管 BSC011N03LSG,011N03LS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC011N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0011Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

MOS AO4800,AO4818,IRF7904

品牌/商标:AO 型号/规格:AO4800,SOP-8,AO,SMD/MOS,30V.6.9A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1.4 , 3 , 2.25（V） 夹断电压:±12 , 20（V） 极间电容:858 , 1040 , 910（pF） 漏极电流:6.9A , 8.5A , 7.6A（mA） 耗散功率:2W（mW）

快恢复 HFA04TB60S,HFA04TB60

是否提供加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:HFA04TB60S,SOT-263,IR,SMD/快恢复,600V,4A,, 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话 材料:硅(Si) 主要参数:- 用途:- 备注:现货

快恢复 LTTH806 LF LTTH1506DF

加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:LITEON/光宝 型号/规格:LTTH806LF,TO-220F-2,,快恢复,600V,8A LTTH1506DF,TO-220F-2,08NPB,光宝,600V,15A 材料:硅(Si) 主要参数:600V,15A 用途:快恢复 备注:现货

供应肖特基二极管 MBR20100CT

工作温度范围:- 65 to 150（℃） 材料:硅(Si) 是否进口:是 针脚数:3 备注:共阴 电压,Vz:100 型号/规格:MBR20100CT-1,IR,TO-262,DIP/肖特基,100V,20A,共阴 产品类型:肖特基管 品牌/商标:IR/国际整流器 用途:肖特基 主要参数:100V 20A 封装:to-262

供应 场效应管 AOL1440,AOL1428,1428,1440

型号/规格:AOL1440,QFN-8 5*6/UltraSO-8,SMD/MOS,N场,25V,85A,0.0052Ω 品牌/商标:AO 封装形式:UltraSO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装

供应 场效应管 AOD438 , AOD436 ,D438,D436

型号/规格:AOD436,MOS,252,30V,60A AOD438,MOS,252,30V,85A 品牌/商标:AO 封装形式:SOT-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 AON6788

型号/规格:AON6788,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,80A,0.004Ω 品牌/商标:AO 封装形式:QFN-8 5*6/DFN5X6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:3000/盘

KIA精密稳压 KIA431A KIA431 AZ431

是否提供加工定制:否 产品类型:稳压管 是否进口:是 品牌/商标:其他 型号/规格:KIA431A 0.5% 主要参数:可调2.5V-36V 用途:稳压 备注:原装，现货

快恢复 BYQ30E-200,BYQ28E-200

是否提供加工定制:否 产品类型:快恢复二极管 是否进口:是 品牌/商标:PHILIPS/飞利浦 型号/规格:BYQ30E-200,TO-220,DIP/快恢复,PHILIPS,200V 材料:硅(Si) 主要参数:200V 用途:快恢复 备注:现货

肖特基 FYPF1010DNTU,Y1010DN,FYPF1010

加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FYPF1010DNTU,TO-220F,FAIRCHILD,DIP/肖特基,100V.10A 材料:硅(Si) 主要参数:100V 10A 用途:肖特基 备注:-

三极管 2SC3148,C3148,2SC2482

是否提供加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SC3148,TO-220,TOSHIBA,DIP/三极管,800V.3A 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:800（V） 集电极允许电流ICM:3（A） 集电极耗散功率PCM:40（W） 截止频率fT:-（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

达林顿 2SB1616,2SA1757,KSB1366

加工定制:否 品牌/商标:ROHM/罗姆 型号/规格:2SB1616,-80V,-4A 2SA1757,KSB1366 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCEO:-80（V） 集电极允许电流ICM:-4（A） 集电极耗散功率PCM:30（W） 截止频率fT:20（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

三极管 KSC5305D,KSD5018,KSC5305

加工定制:否 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KSC5305D,TO-220,FAIRCHILD,DIP/三极管,400V.5A 应用范围:功率 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:5（A） 集电极耗散功率PCM:75（W） 截止频率fT:6.7（MHz） 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应ST三极管 MD2310FX,,MD2310,C5857

集电极耗散功率PCM:62 集电极允许电流ICM:14 封装形式:TO-3P-3 整包 截止频率fT:- 型号/规格:MD2310FX,TO-3PF,DIP/三极管,NPN,700V,14A 材料:硅(Si) 品牌/商标:ST/意法 应用范围:放大

三极管 KTC2016-Y C2016 KTC2016

加工定制:否 品牌/商标:KEC 型号/规格:KTC2016-Y，TO-220，KEC，DIP/三极管，NPN，60V，3A， 应用范围:放大 材料:硅(Si) 极性:NPN型 集电极允许电流ICM:3（A） 集电极耗散功率PCM:30（W） 截止频率fT:30（MHz） 结构:平面型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

肖特基二极管 Y3004DN,Y3004,3004

是否提供加工定制:否 产品类型:肖特基管 是否进口:是 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:Y3004DN,TO-3PF,FAIRCHILD,DIP/肖特基,40V.30A 材料:硅(Si) 主要参数:40V.30A 用途:肖特基 备注:现货