深圳市金城微零件有限公司

产品型号:STF11NM80

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):11

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1630 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):400

导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.

上升时间Tr(ns):17 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -65 ~150

描述:800V,11A N-沟道增强型场效应晶体管

产品特点：
.低输入电容和闸电荷
.低栅极输入电阻
.的RDS（on）和 Qg

应用:
.开关应用
.电子镇流器

经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等..

品牌:
AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎

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