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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:STF11NM80
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):1630 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):400
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):17 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:800V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
产品特点：
.低输入电容和闸电荷
.低栅极输入电阻
.的RDS（on）和 Qg
应用:
.开关应用
.电子镇流器
经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等..
品牌:
AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎
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