深圳市金城微零件有限公司

供应 场效应管 TK8A50,TK8A50D,K8A50D

型号/规格:TK8A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK15A60U,K15A60U,15A60

型号/规格:TK15A60U,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK6A60D,K6A60D

型号/规格:TK6A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A,1.25Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK5A60D,TK5A60,K5A60D

型号/规格:TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 2SK3767,2SK3569,K3767,K3569

型号/规格:2SK3767,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2A,4.5Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 2SK3934,2SK2188,K3934,K2188

型号/规格:2SK3934,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,15A,0.3Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U

型号/规格:TK17A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,17A,0.26Ω 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK4A60DB,K4A60D,TK4A60DAR

型号/规格:TK4A60DAR,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:2500/盒

供应 场效应管 TK4A60D,TK4A60,TK4A60DA

型号/规格:TK4A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A, 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装

供应 场效应管 FDPF7N50U,FDPF7N50

型号/规格:FDPF7N50U,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω 品牌/商标:FAIRCHILD（飞兆） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒

供应 场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761I

型号/规格:AP2761I-A,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,10A,1Ω 品牌/商标:AP/富鼎 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装

供应 场效应管 AP95T07GP,95T07GP,AP95T07

型号/规格:AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω 品牌/商标:AP/富鼎 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒

供应 场效应管 Si7170DP-T1-GE3,Si7170DP,7176

型号/规格:Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω 品牌/商标:VISHAY 封装形式:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 HAT2285WP,HAT2285,HAT2093R

型号/规格:HAT2285WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,双N,30V/30V,14A/22A,0.024Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 HAT2195WP,HAT2195

型号/规格:HAT2195WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0053Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 RJK0366DPA,RJK0358DPA

型号/规格:RJK0366DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,25A,0.0111Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA

型号/规格:RJK0348DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,50A,0.0025Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA

型号/规格:RJK0355DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,30A,0.0107Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 HAT2192WP,HAT2192,HAT2200

型号/规格:HAT2192WP,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,250V,10A,0.23Ω 品牌/商标:RENESAS（瑞萨） 封装形式:QFN-8 5*6/WPAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:2500/盘

供应 场效应管 SI2309,2309,A9SHB,SI2319

型号/规格:SI2309 品牌/商标:国产 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:3000/盘

供应 600V场效应管 , AOT10N60 ,10N60

型号/规格:AOT10N60\tAO\tTO-220\t10NPB\tDIP/MOS\tN场\t600V\t10A\t0.75Ω 品牌/商标:AO 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率

供应 场效应管 CEP12N6,AOT12N60,T12N60

型号/规格:CEP12N6\tCET/华瑞\tTO-220\t\tDIP/MOS\tN场\t600V\t12A\t0.65Ω 品牌/商标:CET/华瑞 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒 功率特征:大功率

供应 场效应管 KIA1404A,KIA1404,KIA3805ZP

型号/规格:KIA1404A,TO-220,DIP/MOS,N场,40V,164A,0.004Ω 品牌/商标:KIA 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒

供应 场效应管 STP40NF10,P40NF10,STP40NF10L

型号/规格:STP40NF10,TO-220,DIP/MOS,N场,100V,50A,0.028Ω 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒

供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50

型号/规格:AOTF8N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω 品牌/商标:AO 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:1000/盒

供应 场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015

型号/规格:QM6015B,SOT-263,SMD/MOS,N场,-60V,-45A,0.025Ω 品牌/商标:UBIQ 封装形式:SOT-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:800/盘

AP/富鼎 MOS管AP60T03AH 60T03

品牌/商标:其他 型号/规格:AP60T03AH AP/富鼎 SOT-252 30V 45A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

场效应管 AP62T03,62T03,AP9916

品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP62T03GH AP/富鼎 09+ SOT-252 N场 54A 30V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3 , 1（V） 夹断电压:±20 , ±12（V） 低频跨导:20S , 18S（μS） 极间电容:1200 , 527（pF） 漏极电流:54A , 35A（mA） 耗散功率:47W , 50W（mW）

场效应管 IRLZ34N,IRLIZ34N,IRFSZ34N

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLZ34N,IRLIZ34N,IRFSZ34 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 BSC027N04,BSC027N04LS,027N04LS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC027N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0027Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 HUF75545P3,HUF75545,75545P

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:HUF75545P3,TO-220,FAIRCHILD,DIP/MOS,80V.75A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2-4（V） 夹断电压:20（V） 极间电容:3750（pF） 漏极电流:75A（mA） 耗散功率:270W（mW）

场效应管 2N80,9NK60,P9NK60Z,D2N80

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQD2N80,SOT-252,FAIRCHILD,SMD/MOS,800V.2A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:5（V） 夹断电压:30（V） 跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

场效应管 AP83T03GH,AP83T03GH-HF,83T03GH

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:AP83T03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.006Ω 材料:N-FET硅N沟道 用途:S/开关 品牌/商标:AP/富鼎 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

场效应管 BSC750N10ND G,BSC750N10

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:750N10ND infineon 08NPB P-TDSON-8 双N 100V 13A 开启电压:3V 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 夹断电压:20V 导电方式:增强型 电压:100V

TOSHIBA,SANYO,PHILIPS,场效应

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:TOSHIBA MOS场效应管 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SSM1N60A SSM1N60 BSP300

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SSM1N60A,MOS,600V,1A BSP300,MOS,800V,0.19A,20Ω,223 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

供应场效应管 TK15E60U,K15E60U

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:TK15E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω 材料:N-FET硅N沟道 用途:S/开关 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型