深圳市金城微零件有限公司

场效应管 FMV07N70E,07N70E,FMV07N70

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:FMV07N70E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，700V，7A， 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FJD日本富士电机 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型 电压:700V 电流:7A

600V场效应管,TK12J60U,K12J60U

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:TK12J60U,TO-3P,600V 1A,0.4Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3-5（V） 夹断电压:±30（V） 极间电容:720（pF） 漏极电流:12A（mA） 耗散功率:144W（mW）

场效应管 AP60T03GH 60T03GH AP60T03H

漏极电流:45A 封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:AP60T03GH,MOS,30V,45A,0.012Ω AP60T03H,MOS,30V,45A,0.012Ω,252 材料:P-FET硅P沟道 品牌/商标:AP/富鼎 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 夹断电压:20 导电方式:增强型 极间电容:1820

场效应管 SSH6N80,FQP6N80,7N90,6N80

漏极电流:6A 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:SSH6N80,TO-3P,FAIRCHILD,DIP/MOS,800V.6A 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型 电压:800V

场效应管 KIA1N60 GM1N60 BLV1N60A

品牌/商标:台产 型号/规格:GM1N60,MOS,600V,1A,0Ω,TO-92 BLV1N60A,MOS,600V,0.5A,15Ω,92 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30 开启电压:4 漏极电流:0.35A , 0.5A

供应MOS IPG20N04S4L-07,4N04L07

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:IPG20N04S4L-07,PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,40V,20A,0.0072Ω 材料:N-FET硅N沟道 用途:S/开关 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

场效应管 LS1820NG LS1820N ,原装现货

品牌/商标:力神科技 型号/规格:LS1820NG，SOT-252，，SMD/MOS，N场，200V，18A，0.17Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SUP70N03 SUP70N03-09BP

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:SUP70N03-09BP,TO-220,VISHAY,DIP/MOS,30V.70A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:0.8-2.0（V） 夹断电压:±20（V） 极间电容:1500（pF） 漏极电流:70A（mA） 耗散功率:93W（mW）

供应IGBT SGP10N60,SGP10N60A,G10N60

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SGP10N60,TO220,600V,10A,不带二极管 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比极 开启电压:5（V） 夹断电压:20（V） 极间电容:696（pF） 漏极电流:10A（mA） 耗散功率:104W（mW）

MOS AM50N03 AM50N03-12D -T1-PF 50N03-12,原装现货

品牌/商标:通用/艾柏电子 型号/规格:GFD50N03,,AM50N03-12D-T1-PF,252 N场 30V 65A / 51A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3（V） 夹断电压:20（V） 跨导:22s（μS） 漏极电流:51A（mA） 耗散功率:50W（mW）

场效应管 FQB140N03 L,SUB70N04

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQB140N03L,SOT-263,FAIRCHILD,SMD/MOS,30V.140A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1-2.5（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:85S , 57S（μS） 极间电容:4420 , 2700（pF） 漏极电流:140A , 70A（mA） 耗散功率:180W , 107W（mW）

场效应管 AOD408 D408 AOD434 D434

品牌/商标:AO 型号/规格:AOD408,MOS,30V,18A,0.018Ω AOD434,MOS,20V,18A,0.014Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5,1（V） 夹断电压:±20（V） 极间电容:1600,1810（pF） 漏极电流:18A（mA） 耗散功率:60W（mW）

场效应管 TK75A06K3,K75A06K3,TK75A06

封装外形:P-DIT/塑料双列直插 型号/规格:TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω 材料:N-FET硅N沟道 用途:S/开关 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

场效应管 IPB15N03LG 15N03L IPB15N03

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPB15N03L,MOS,30V,42A,0Ω,263 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:20 极间电容:1130 漏极电流:42A

供应 BSC010NE2,BSC010NE2LSI,010NE2LI

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC010NE2LSI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.00105Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 IPD350N06 IPD088N04

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPD350N06LG,MOS,60V,29A,0.035Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:20 开启电压:2 漏极电流:29A , 50A

场效应管 MDP8N60TH MDP8N60

品牌/商标:MagnaChip/美格纳 型号/规格:MDP8N60TH，TO-220，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，8A，1Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30 极间电容:895 漏极电流:8A

场效应管 SSP3N90 A,STF11NM80

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:SSP3N90A,STF11NM80,FS3KM 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 低频跨导:2.19S , 8S 极间电容:770 , 1630 漏极电流:3A , 11A

场效应 BSC050N03LS G,050N03LS

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:BSC050N03LSG,MOS,30V,80A,0.005Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.2（V） 夹断电压:±20（V） 极间电容:2800（pF） 漏极电流:80A（mA） 耗散功率:50W（mW）

场效应 2SK3491,2SK4026,K3491

品牌/商标:SANYO/三洋 型号/规格:2SK3491/2SK4026,TO-251,SANYO,DIP/MOS,600V.1A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:±30（V） 低频跨导:850MS（μS） 极间电容:135 , 190（pF） 漏极电流:1A（mA） 耗散功率:20W（mW）

场效应 2SK3565 2SK3564 K3565,K3564

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK3565,MOS,900V,5A,2SK3564,MOS,900V,3A,4.3Ω,220F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:±30（V） 跨导:4.5S/2.6S（μS） 极间电容:1150/700（pF） 漏极电流:5A/3A（mA） 耗散功率:45W/40W（mW）

场效应059N04LS,059N04,059N03

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:059N04LS infineon 08NPB P-TDSON-8 N场 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1.2-2（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:96S（μS） 极间电容:3200（pF） 漏极电流:73A（mA） 耗散功率:50W（mW）

AO4408L,AO4702L,4408,4702

品牌/商标:AO 型号/规格:AO4408L,SOP-8,AO,SMD/MOS,30V.12A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:12 开启电压:1-2.5

AO场效应 AO4438 AO

品牌/商标:AO 型号/规格:AO4438 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 跨导:--（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）

场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306

漏极电流:75A 封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:ISL9N306AS3ST,MOS,30V,75A,0.006Ω,263 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 夹断电压:20 导电方式:增强型 极间电容:3400

场效应管 IPD20N06 IPD20N06L 20N06L

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:IPD20N06L,MOS,60V,20A,0Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:20 开启电压:3 漏极电流:20A

场效应管 ISL9N308AD3 ISL9N308 N308AD

漏极电流:50A 封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:ISL9N308AD3,MOS,30V,50A,0.008Ω,251 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 夹断电压:20 导电方式:增强型 极间电容:2600

场效应管 AP01N60 AP01N60H 01N60H

品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP01N60H,MOS,600V,1.6A,8Ω,252 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30 极间电容:286 漏极电流:1.6A

场效应管 KIA13N50HF KIA20N50HF KIA13N50

品牌/商标:KIA 型号/规格:KIA13N50HF TO-220F KIA DIP/MOS N场 500V 13A 0.48Ω 4V 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30 极间电容:2055 漏极电流:13A

场效应管 AP10N60W 10N60W AP10N60

品牌/商标:AP/富鼎 型号/规格:AP10N60W,MOS,600V,10A,0.75Ω,3P 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30 极间电容:3800 漏极电流:10A

场效应管 FMH09N90G,09N90G,FMH09N90 E

品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:FMH09N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，9A，1.4Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4.5（V） 夹断电压:± 30（V） 跨导:10S（μS） 极间电容:2550（pF） 漏极电流:9A（mA） 耗散功率:205W（mW）

场效应管 AO6604 L,AO6602 L,AO6603

品牌/商标:AO 型号/规格:AO6604L,AO6602L,AO6603 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 SPA11N65 SPA11N65C3,11N65C3

品牌/商标:INFINEON/英飞凌 型号/规格:SPA11N65C3,TO-220F,infineon,DIP/MOS,650V.11A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 夹断电压:30V 电压:650V

500V MOS STP8NC50,P8NC50,8NC50

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP8NC50中国,TO-220,ST,DIP/MOS,500V.8A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4（V） 夹断电压:30（V） 跨导:7.5S（μS） 极间电容:1050（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:8A（mA） 耗散功率:135W（mW）

场效应管 IRFW740ATM,IRFW740,IRFW740A,IRFW740B

品牌/商标:Samsung/三星 型号/规格:IRFW740ATM,SOT-263,SAM/三星,SMD/MOS,400V.10A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2-4 极间电容:1530 漏极电流:10A

场效应管 P1703BDG P75N02LDG P75N02LD

品牌/商标:NIKO 型号/规格:P75N02LDG，252，NIKO，MOS，N场，25V，75A，0.007Ω P1703BDG，N，25V，46A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.5 , 3（V） 夹断电压:20（V） 漏极电流:46A , 75A（mA） 耗散功率:55W , 60W（mW）

场效应管 CEU630N,CEUF640,CEU630

品牌/商标:CET/华瑞 型号/规格:CEU630N,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

场效应管 IRLI530,IRLI530N,IRFI530

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLI530G,TO-220F,100V,9.7A,0.016Ω 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:20（V） 跨导:6.1S（μS） 极间电容:930（pF） 漏极电流:9.7A（mA） 耗散功率:42W（mW）